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Multi TOPLED(R)
LSPB T670
Besondere Merkmale
q q q q q q q q q q q q q
Gehausebauform: P-LCC-4 Gehausefarbe: wei volles Farbspektrum darstellbar Lichterzeugung uber drei Halbleiterdioden: blau (480 nm), pure green (557 nm), rot (630 nm), getrennt ansteuerbar gute Farbmischung durch kleine Chipabstande (0,5 mm) und gemeinsamen Reflektor mit 2,4 mm fur Matrix-Anzeigen mit hoher Packungsdichte bzw. hoher Auflosung (Pixelgrafik) zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung Farbmetechnik medizinische Analysetechnik hohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED moglich fur alle SMT-Bestuck- und Lottechniken geeignet gegurtet (8-mm-Filmgurt) Storimpulsfest nach DIN 40839
Auf Grund der z. Zt schnellen Technologie-Entwicklung bei blauen Chips, sind die Daten als vorlaufig zu betrachten. Bezuglich der Helligkeit stellen sie Minimal- und fur VF Maximal-Werte dar. Bitte um Rucksprache mit Ihrem Vertriebspartner vor Design In`s. Features
q q q q q q q q q q q q q
P-LCC-4 package color of package: white complete color spectrum three separate light sources (dies) blue (480 nm), pure green (557 nm), red (630 nm) excellent color mixture due to small distances between the dies (0.5 mm) and a common reflector of 2.4 mm suitable for matrix-displays with high packing density and high resolution (pixel graphic), respectively for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses Colorimeter medical analysis high signal ratio possible by color change suitable for all SMT assembly and soldering methods available taped on reel (8 mm tape) load dump resistant acc. to DIN 40839
Due to the fast technological development of blue chips, these data are preliminary. Brightness values are minimum values and VF are maximum values. Please contact your sales office before design-ins.
Semiconductor Group
1-180
10.95
VPL06837
LSPB T670
Typ
Type
Emissions- Farbe der farbe Lichtaustrittsflache Color of Color of Emission Light Emitting Area super-red / pure green/ blue colorless clear
Durchla- Strahlstrom starke Forward current Radiant intensity Ie W/sr
Strahl- Lichtstrom starke Total flux e W
Best.nr.
Luminous Ordering intensity Code Iv mcd 0.7 2.5 0.6 Q62703Q2896
IF
mA 2 10 30
LSPB T670
5.5 ( 2.5) 16.5 4.0 ( 2.0) 12 4.0 ( 2.0) 12
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebstemperatur Operating temperature range Lagertemperatur Storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Durchlastrom1) Forward current Durchlastrom2) Forward current Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung1) Power dissipation Symbol Symbol LS Wert Value LP LB C C C 30 30 mA mA V 130 mW - 55 ... + 100 - 55 ... + 100 + 100 30 7.5 30 15 5 100 100 Einheit Unit
Top Tstg Tj IF IF VR Ptot
Warmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air Montage auf PC-Board (Padgroe 16 mm 2) Rth JA1) mounted on PC board (pad size 16 mm 2) Rth JA2)
1) 2) 1) 2)
480 630
370 450
450 530
K/W K/W
Die angegebenen Grenzwerte gelten fur einen Chip, wenn die anderen Chips nicht betrieben werden. Die angegebenen Grenzwerte gelten, wenn alle Chips in Betrieb sind. The stated maximum ratings refer to one die with the other dies turned off. The stated maximum ratings refer to all dies turned on.
Semiconductor Group
1-181
LSPB T670
Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlange des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 10 mA Dominantwellenlange Dominant wavelength IF = 10 mA Symbol Symbol LS (typ.) peak (typ.) (typ.) dom (typ.) 635 Wert Value LP 557 LB 467 Einheit Unit nm
628
560
480
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max (typ.) Spectral bandwidth at 50 % Irel max (typ.) IF = 10 mA Visueller Wirkungsgrad Visual efficiency IF = 2 mA IF = 10 mA IF = 30 mA Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % IV Durchlaspannung Forward voltage IF = 10 mA
45
22
75
nm
(typ.) v (typ.) v (typ.) v 2
130 625 165 120 120 120
lm/W lm/W lm/W Grad deg.
IF = 10 mA IF = 20 mA
Sperrstrom Reverse current VR = 5 V Kapazitat Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 % IV from 90 % to 10 % IF = 100 mA, tp = 10 s, RL = 50
(typ.) (max.) (typ.) (max.) (typ.) (max.)
VF VF VF VF VF VF
2.0 2.6 2.0 2.6 3.1 4.5 0.01 10 12 0.01 10 15 0.01 10 50
V V V V V V A A pF
(typ.) IR (max.) IR (typ.) C0
(typ.) tr (typ.) tf
300 150
450 200
800 800
ns ns
Semiconductor Group
1-182
LSPB T670
Additive Farbmischung durch unabhangige Ansteuerung von jedem Chip. Die Farbkoordinaten des Mischlichtes konnen innerhalb des mit a) gekennzeichneten Bereichs des Farbdreiecks erwartet werden. Der Unbuntpunkt (x = 0.33; y = 0.33) ist mit "+" gekennzeichnet. Beim Betrieb der LEDs mit folgenden Stromen: super-rot pure green blau 2 mA 10 mA 30 mA
konnen die Farbkoordinaten des abgestrahlten Lichtes im mit b) gekennzeichneten Bereich (s = 0.275 - 0.37; y = 0.295 - 0.42) des Farbdreiecks erwartet werden. Additive mixture of color stimuli by independent driving of each chip. The color coordinates of the mixed light can be expected within the area of the color triangle marked a). The achromatic point (x = 0.33; y = 0.33) is marked "+". With LED operating currents of: super-red pure green blue 2 mA 10 mA 30 mA
the color coordinates of the emitted light can be expected in the area of the color triangle (s = 0.275 - 0.37; y = 0.295 - 0.42) marked b).
Semiconductor Group
1-183
LSPB T670
Relative spektrale Emission Irel = f (), TA = 25 C, IF = 10 mA Relative spectral emission V() = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Irel = f () Radiation characteristic
Semiconductor Group
1-184
LSPB T670
Durchlastrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 C
Durchlastrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 C
Relative Lichtstarke IV/IV(10 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 C
Relative Lichtstarke IV / IV(20 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 C
Semiconductor Group
1-185
LSPB T670
Zulassige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 C
Zulassige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handlingcapability Duty cycle D = parameter, TA = 25 C
Maximal zulassiger Durchlastrom Max. permissible forward current IF = f (TA) Only one system biased
Maximal zulassiger Durchlastrom Max. permissible forward current IF = f (TA) All systems biased
Semiconductor Group
1-186
LSPB T670
Wellenlange der Strahlung peak = f (TA) Wavelength at peak emission IF = 10 mA
Dominantwellenlange dom = f (TA) Dominant wavelength IF = 10 mA
Durchlaspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 10 mA
Relative Lichtstarke IV / IV(25 C ) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 10 mA
Semiconductor Group
1-187
LSPB T670
Mazeichnung Package Outlines
(Mae in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Semiconductor Group
1-188
GPL06900

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